Framleiðandi Vöru númer:
IPW65R660CFDFKSA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IPW65R660CFDFKSA1-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 700V 6A TO247-3
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 700 V 6A (Tc) 62.5W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1
Birgðir:
12806124
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IPW65R660CFDFKSA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
-
Röð
CoolMOS™
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
700 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
660mOhm @ 2.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 200µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
615 pF @ 100 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
62.5W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
PG-TO247-3-1
Pakki / hulstur
TO-247-3
Grunnvörunúmer
IPW65R
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
240
Önnur nöfn
2156-IPW65R660CFDFKSA1-IT
INFINFIPW65R660CFDFKSA1
IPW65R660CFD
SP000861700
IPW65R660CFD-DG
Umhverfis- og útflutningsflokkun
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
IRFPF50PBF
FRAMLEIÐANDI
Vishay Siliconix
Fjöldi í boði
466
HLUTARNÁMR
IRFPF50PBF-DG
Einingaverð
3.01
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
STW10N95K5
FRAMLEIÐANDI
STMicroelectronics
Fjöldi í boði
466
HLUTARNÁMR
STW10N95K5-DG
Einingaverð
1.98
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
IRF9410TRPBF
MOSFET N-CH 30V 7A 8SO
IPU80R1K0CEBKMA1
MOSFET N-CH 800V 5.7A TO251-3
IRL540NL
MOSFET N-CH 100V 36A TO262
