Heim
Vörur
Framleiðendur
Um DiGi
Hafðu samband við okkur
Bloggar & Færslur
RFQ/Tilboð
Iceland
Skrá inn
Valin tungumál
Núverandi tungumál val þitt:
Iceland
Breyta:
Enska
Evrópa
Bretland
Lýðveldið Kongó
Argentína
Tyrkland
Rúmenía
Litháen
Noregur
Austurríki
Angóla
Slóvakía
LTALY
Finnland
Hvíta Rússland
Búlgaría
Danmörk
Eistland
Pólland
Úkraína
Slóvenía
Tékkneska
Gríska
Króatía
Ísrael
Svartfjallaland
Rússneska
Belgía
Svíþjóð
Serbía
Baski
Ísland
Bosnía
Ungverska
Moldóva
Þýskaland
Holland
Írland
Asía / Kyrrahafið
Kína
Víetnam
Indónesía
Taíland
Laos
Filippseyingur
Malasía
Kórea
Japan
Hong Kong
Taívan
Singapúr
Pakistan
Suður Arabía
Katar
Kúveit
Kambódía
Mjanmar
Afríka, Indland og Miðausturlönd
Sameinuðu Arabísku Furstadæmin
Tadsjikistan
Madagaskar
Indland
Íran
Frakkland
Suður Afríka
Egyptaland
Kenía
Tansanía
Gana
Senegal
Marokkó
Túnis
Suður Ameríka / Eyjaálfa
Nýja Sjáland
Portúgal
Brasilía
Mósambík
Perú
Kólumbía
Síle
Venesúela
Ekvador
Bólivía
Úrúgvæ
Spánn
Paragvæ
Ástralía
Norður-Ameríka
Bandaríkin
Haítí
Kanada
Kosta Ríka
Mexíkó
Um DiGi
Um okkur
Um okkur
Vottanir okkar
DiGi kynning
Hvers vegna DiGi
Stefna
Gæðastefna
Notendaleyfi
RoHS samræmi
Skilaferlið
Auðlindir
Vöruflokkar
Framleiðendur
Bloggar & Færslur
Þjónustu
Gæðatrygging
Greiðslu leið
Alþjóðleg sending
Sendingarkostnaður
Algengar spurningar
Framleiðandi Vöru númer:
IPW65R190E6FKSA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IPW65R190E6FKSA1-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 650V 20.2A TO247-3
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 650 V 20.2A (Tc) 151W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1
Birgðir:
RFQ á netinu
12805806
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
*
Fyrirtæki
*
Samskiptaheiti
*
Sími
*
Tölvupóstur
Afhendingarheimilisfang
Skilaboð
(
*
) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IPW65R190E6FKSA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
-
Röð
CoolMOS™
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
650 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
20.2A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
190mOhm @ 7.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 730µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
73 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1620 pF @ 100 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
151W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
PG-TO247-3-1
Pakki / hulstur
TO-247-3
Grunnvörunúmer
IPW65R
Gagnaablað & Skjöl
HTML upplýsingaskjal
IPW65R190E6FKSA1-DG
Gagnaplakks
IPW65R190E6FKSA1
Gagnablöð
IPx65R190E6
Aukainformation
Venjulegur pakki
240
Önnur nöfn
IPW65R190E6-DG
2156-IPW65R190E6FKSA1-IT
IPW65R190E6
INFINFIPW65R190E6FKSA1
SP000863906
Umhverfis- og útflutningsflokkun
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
STW28N60DM2
FRAMLEIÐANDI
STMicroelectronics
Fjöldi í boði
0
HLUTARNÁMR
STW28N60DM2-DG
Einingaverð
1.76
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
FCH190N65F-F155
FRAMLEIÐANDI
onsemi
Fjöldi í boði
415
HLUTARNÁMR
FCH190N65F-F155-DG
Einingaverð
2.95
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
STW30N80K5
FRAMLEIÐANDI
STMicroelectronics
Fjöldi í boði
0
HLUTARNÁMR
STW30N80K5-DG
Einingaverð
4.39
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
TK20N60W,S1VF
FRAMLEIÐANDI
Toshiba Semiconductor and Storage
Fjöldi í boði
15
HLUTARNÁMR
TK20N60W,S1VF-DG
Einingaverð
2.83
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
STW24N60M2
FRAMLEIÐANDI
STMicroelectronics
Fjöldi í boði
562
HLUTARNÁMR
STW24N60M2-DG
Einingaverð
1.39
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
IRFP260NPBF
MOSFET N-CH 200V 50A TO247AC
IRFS7440PBF
MOSFET N CH 40V 120A D2PAK
IRF630NSPBF
MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK
IRFR4615TRLPBF
MOSFET N-CH 150V 33A DPAK