Framleiðandi Vöru númer:
IPW65R150CFDFKSA2
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IPW65R150CFDFKSA2-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 650V 22.4A TO247-3
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 650 V 22.4A (Tc) 195.3W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-41
Birgðir:
214 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12805288
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IPW65R150CFDFKSA2 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tube
Röð
CoolMOS™ CFD2
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
650 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
22.4A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
150mOhm @ 9.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 900µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
86 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
2340 pF @ 100 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
195.3W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
PG-TO247-3-41
Pakki / hulstur
TO-247-3
Grunnvörunúmer
IPW65R150
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
240
Önnur nöfn
SP001987372
IPW65R150CFDFKSA2-DG
448-IPW65R150CFDFKSA2
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
IPW65R150CFDFKSA1
FRAMLEIÐANDI
Infineon Technologies
Fjöldi í boði
154
HLUTARNÁMR
IPW65R150CFDFKSA1-DG
Einingaverð
3.14
VÖRUVAL
Parametric Equivalent
Partanúmer
IXFH50N60P3
FRAMLEIÐANDI
IXYS
Fjöldi í boði
386
HLUTARNÁMR
IXFH50N60P3-DG
Einingaverð
5.53
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
IRFP22N50APBFXKMA1
MOSFET N-CH 500V 22A TO247AC
IRFR5305TRL
MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
IRFSL3607PBF
MOSFET N-CH 75V 80A TO262