Framleiðandi Vöru númer:
IPW65R115CFD7AXKSA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IPW65R115CFD7AXKSA1-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 650V 21A TO247-3-41
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 650 V 21A (Tc) 114W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-41
Birgðir:
12945086
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IPW65R115CFD7AXKSA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tube
Röð
*
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
650 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
21A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
115mOhm @ 9.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 490µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
41 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1950 pF @ 400 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
114W (Tc)
Hitastig rekstrar
-40°C ~ 150°C (TJ)
Einkunn
Automotive
Hæfni
AEC-Q101
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
PG-TO247-3-41
Pakki / hulstur
TO-247-3
Grunnvörunúmer
IPW65R115
Gagnaablað & Skjöl
HTML upplýsingaskjal
Gagnaplakks
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
30
Önnur nöfn
448-IPW65R115CFD7AXKSA1
2156-IPW65R115CFD7AXKSA1
SP003793162
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
AONS36303
MOSFET N-CH 30V 5X6 8DFN
IPLK60R360PFD7ATMA1
MOSFET N-CH 600V 13A THIN-PAK
IPBE65R230CFD7AATMA1
MOSFET N-CH 650V 11A TO263-7
