Framleiðandi Vöru númer:
IPW65R110CFDAFKSA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IPW65R110CFDAFKSA1-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 650V 31.2A TO247-3
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 650 V 31.2A (Tc) 277.8W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Birgðir:
240 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12803476
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IPW65R110CFDAFKSA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tube
Röð
CoolMOS™
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
650 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
31.2A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
110mOhm @ 12.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 1.3mA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
118 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
3240 pF @ 100 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
277.8W (Tc)
Hitastig rekstrar
-40°C ~ 150°C (TJ)
Einkunn
Automotive
Hæfni
AEC-Q101
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
PG-TO247-3
Pakki / hulstur
TO-247-3
Grunnvörunúmer
IPW65R110
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
30
Önnur nöfn
IPW65R110CFDAFKSA1-DG
2156-IPW65R110CFDAFKSA1
SP000895236
448-IPW65R110CFDAFKSA1
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
IRFR4105TR
MOSFET N-CH 55V 27A DPAK
IRFBA1404PPBF
MOSFET N-CH 40V 206A SUPER-220
IPP25N06S325XK
MOSFET N-CH 55V 25A TO220-3
