IPW65R065C7XKSA1
Framleiðandi Vöru númer:

IPW65R065C7XKSA1

Product Overview

Framleiðandi:

Infineon Technologies

Völu númer:

IPW65R065C7XKSA1-DG

Lýsing:

MOSFET N-CH 650V 33A TO247-3
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 650 V 33A (Tc) 171W (Tc) Through Hole PG-TO247-3

Birgðir:

230 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12804870
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA

IPW65R065C7XKSA1 Tæknilegar forskriftir

Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tube
Röð
CoolMOS™ C7
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
650 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
33A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
65mOhm @ 17.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 850µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
64 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
3020 pF @ 400 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
171W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
PG-TO247-3
Pakki / hulstur
TO-247-3
Grunnvörunúmer
IPW65R065

Gagnaablað & Skjöl

HTML upplýsingaskjal
Gagnaplakks
Gagnablöð

Aukainformation

Venjulegur pakki
30
Önnur nöfn
448-IPW65R065C7XKSA1
IPW65R065C7XKSA1-DG
SP001080116

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
infineon-technologies

IRFH5007TR2PBF

MOSFET N-CH 75V 17A 5X6 PQFN

infineon-technologies

IPW65R190CFDAFKSA1

MOSFET N-CH 650V 17.5A TO247-3

infineon-technologies

IRF640NLPBF

MOSFET N-CH 200V 18A TO262

infineon-technologies

IPB80N04S303ATMA1

MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3