Framleiðandi Vöru númer:
IPW65R065C7XKSA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IPW65R065C7XKSA1-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 650V 33A TO247-3
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 650 V 33A (Tc) 171W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Birgðir:
230 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12804870
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IPW65R065C7XKSA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tube
Röð
CoolMOS™ C7
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
650 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
33A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
65mOhm @ 17.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 850µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
64 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
3020 pF @ 400 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
171W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
PG-TO247-3
Pakki / hulstur
TO-247-3
Grunnvörunúmer
IPW65R065
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
30
Önnur nöfn
448-IPW65R065C7XKSA1
IPW65R065C7XKSA1-DG
SP001080116
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
IRFH5007TR2PBF
MOSFET N-CH 75V 17A 5X6 PQFN
IPW65R190CFDAFKSA1
MOSFET N-CH 650V 17.5A TO247-3
IRF640NLPBF
MOSFET N-CH 200V 18A TO262
