Framleiðandi Vöru númer:
IPW65R041CFDFKSA2
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IPW65R041CFDFKSA2-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 650V 68.5A TO247-3
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 650 V 68.5A (Tc) 500W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Birgðir:
240 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12806255
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IPW65R041CFDFKSA2 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tube
Röð
CoolMOS™ CFD2
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
650 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
68.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
41mOhm @ 33.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 3.3mA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
300 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
8400 pF @ 100 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
500W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
PG-TO247-3
Pakki / hulstur
TO-247-3
Grunnvörunúmer
IPW65R041
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
30
Önnur nöfn
SP001987360
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
IRL3103PBF
MOSFET N-CH 30V 64A TO220AB
SPD30N03S2L20GBTMA1
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
IRL1004
MOSFET N-CH 40V 130A TO220AB
