Framleiðandi Vöru númer:
IPW65R037C6FKSA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IPW65R037C6FKSA1-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 650V 83.2A TO247-3
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 650 V 83.2A (Tc) 500W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Birgðir:
51 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12804974
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IPW65R037C6FKSA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tube
Röð
CoolMOS™ C6
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
650 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
83.2A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
37mOhm @ 33.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 3.3mA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
330 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
7240 pF @ 100 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
500W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
PG-TO247-3
Pakki / hulstur
TO-247-3
Grunnvörunúmer
IPW65R037
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
30
Önnur nöfn
IFEINFIPW65R037C6FKSA1
2156-IPW65R037C6FKSA1
SP000756284
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
IRLR7821TRLPBF
MOSFET N-CH 30V 65A DPAK
IPD90N10S406ATMA1
MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3
IPP80N06S2LH5AKSA2
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
