Framleiðandi Vöru númer:
IPW60R070CFD7XKSA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IPW60R070CFD7XKSA1-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 650V 31A TO247-3
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 650 V 31A (Tc) 156W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-21
Birgðir:
1513 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
13064163
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IPW60R070CFD7XKSA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tube
Röð
CoolMOS™ CFD7
Umbúðir
Tube
Staða hluta
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
650 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
31A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
70mOhm @ 15.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 760µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
67 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
2721 pF @ 400 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
156W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
PG-TO247-3-21
Pakki / hulstur
TO-247-3
Grunnvörunúmer
IPW60R070
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
30
Önnur nöfn
SP001617990
IPW60R070CFD7
448-IPW60R070CFD7XKSA1
IPW60R070CFD7XKSA1-ND
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
IRFR18N15D
MOSFET N-CH 150V 18A DPAK
IRFB41N15DPBF
MOSFET N-CH 150V 41A TO220AB
IRF9540NPBF
MOSFET P-CH 100V 23A TO220AB
