Framleiðandi Vöru númer:
IPW60R037P7XKSA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IPW60R037P7XKSA1-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 650V 76A TO247-3
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 650 V 76A (Tc) 255W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Birgðir:
12804037
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IPW60R037P7XKSA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tube
Röð
CoolMOS™ P7
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
650 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
76A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
37mOhm @ 29.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1.48mA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
121 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
5243 pF @ 400 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
255W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
PG-TO247-3
Pakki / hulstur
TO-247-3
Grunnvörunúmer
IPW60R037
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
30
Önnur nöfn
IPW60R037P7XKSA1-DG
SP001606060
448-IPW60R037P7XKSA1
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
IXKH70N60C5
FRAMLEIÐANDI
IXYS
Fjöldi í boði
301
HLUTARNÁMR
IXKH70N60C5-DG
Einingaverð
14.49
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
MIC94030YM4-TR
MOSFET P-CH 16V 1A SOT-143
IRFS7534PBF
MOSFET N CH 60V 195A D2PAK
IRFR1018ETRRPBF
MOSFET N-CH 60V 56A DPAK
