Framleiðandi Vöru númer:
IPW60R024CFD7XKSA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IPW60R024CFD7XKSA1-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 650V 77A TO247-3-41
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 650 V 77A (Tc) 320W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-41
Birgðir:
94 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
13276492
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IPW60R024CFD7XKSA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tube
Röð
CoolMOS™ CFD7
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
650 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
77A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
24mOhm @ 42.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 2.12mA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
183 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
7268 pF @ 400 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
320W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
PG-TO247-3-41
Pakki / hulstur
TO-247-3
Grunnvörunúmer
IPW60R024
Gagnaablað & Skjöl
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
30
Önnur nöfn
SP002621050
448-IPW60R024CFD7XKSA1
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
Not Applicable
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
BSC014N06LS5ATMA1
MOSFET 60V TDSON-8-7
IAUC120N04S6N010ATMA1
MOSFET N-CH 40V 150A TDSON-8-34
IPLK70R600P7ATMA1
MOSFET N-CH 700V TDSON-8
