Framleiðandi Vöru númer:
IPW60R018CFD7XKSA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IPW60R018CFD7XKSA1-DG
Lýsing:
MOSFET N CH
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 600 V 101A (Tc) 416W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Birgðir:
12804226
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IPW60R018CFD7XKSA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tube
Röð
CoolMOS™ CFD7
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
600 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
101A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
18mOhm @ 58.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 2.91mA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
251 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
9901 pF @ 400 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
416W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
PG-TO247-3
Pakki / hulstur
TO-247-3
Grunnvörunúmer
IPW60R018
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
30
Önnur nöfn
2156-IPW60R018CFD7XKSA1
SP001715618
448-IPW60R018CFD7XKSA1
IPW60R018CFD7XKSA1-DG
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
IPP80N04S2H4AKSA1
MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
IRFR3504TRLPBF
MOSFET N-CH 40V 30A DPAK
IRF3707STRLPBF
MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK
