Framleiðandi Vöru númer:
IPU80R1K0CEAKMA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IPU80R1K0CEAKMA1-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 800V 5.7A TO251-3
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 800 V 5.7A (Tc) 83W (Tc) Through Hole PG-TO251-3-341
Birgðir:
12823335
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IPU80R1K0CEAKMA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
-
Röð
CoolMOS™ CE
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
800 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
5.7A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
950mOhm @ 3.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.9V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
785 pF @ 100 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
83W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
PG-TO251-3-341
Pakki / hulstur
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Grunnvörunúmer
IPU80R1
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
1,500
Önnur nöfn
2156-IPU80R1K0CEAKMA1
SP001593928
INFINFIPU80R1K0CEAKMA1
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
TK6Q65W,S1Q
FRAMLEIÐANDI
Toshiba Semiconductor and Storage
Fjöldi í boði
75
HLUTARNÁMR
TK6Q65W,S1Q-DG
Einingaverð
0.47
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
IPU80R1K2P7AKMA1
FRAMLEIÐANDI
Infineon Technologies
Fjöldi í boði
0
HLUTARNÁMR
IPU80R1K2P7AKMA1-DG
Einingaverð
0.41
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
IPD70R900P7SAUMA1
MOSFET N-CH 700V 6A TO252-3
IRF6644TRPBF
MOSFET N-CH 100V 10.3A DIRECTFET
IRL3714L
MOSFET N-CH 20V 36A TO262
