Framleiðandi Vöru númer:
IPT65R195G7XTMA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IPT65R195G7XTMA1-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 650V 14A 8HSOF
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 650 V 14A (Tc) 97W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-2
Birgðir:
12806479
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IPT65R195G7XTMA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Röð
CoolMOS™ C7
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
650 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
14A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
195mOhm @ 4.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 240µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
996 pF @ 400 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
97W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PG-HSOF-8-2
Pakki / hulstur
8-PowerSFN
Grunnvörunúmer
IPT65R195
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
2,000
Önnur nöfn
IPT65R195G7XTMA1CT
IPT65R195G7XTMA1TR
IPT65R195G7XTMA1DKR
INFINFIPT65R195G7XTMA1
2156-IPT65R195G7XTMA1
IPT65R195G7XTMA1-DG
SP001456206
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
IPT65R190CFD7XTMA1
FRAMLEIÐANDI
Infineon Technologies
Fjöldi í boði
0
HLUTARNÁMR
IPT65R190CFD7XTMA1-DG
Einingaverð
1.25
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
SPB80N08S2-07
MOSFET N-CH 75V 80A TO263-3
IRLR3717PBF
MOSFET N-CH 20V 120A DPAK
IPP60R160C6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 23.8A TO220-3
