Framleiðandi Vöru númer:
IPT029N08N5ATMA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IPT029N08N5ATMA1-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 80V 52A/169A HSOF-8
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 80 V 52A (Ta), 169A (Tc) 168W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-1
Birgðir:
12803084
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IPT029N08N5ATMA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
OptiMOS™ 5
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
80 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
52A (Ta), 169A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
2.9mOhm @ 150A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.8V @ 108µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
87 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
6500 pF @ 40 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
168W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PG-HSOF-8-1
Pakki / hulstur
8-PowerSFN
Grunnvörunúmer
IPT029
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
2,000
Önnur nöfn
SP001581494
IPT029N08N5ATMA1DKR
INFINFIPT029N08N5ATMA1
IPT029N08N5ATMA1CT
IPT029N08N5ATMA1-DG
IPT029N08N5ATMA1TR
2156-IPT029N08N5ATMA1
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
IRFS7534-7PPBF
MOSFET N CH 60V 240A D2PAK
IRF7469TRPBF
MOSFET N-CH 40V 9A 8SO
IPI120N04S302AKSA1
MOSFET N-CH 40V 120A TO262-3
