IPT022N10NF2SATMA1
Framleiðandi Vöru númer:

IPT022N10NF2SATMA1

Product Overview

Framleiðandi:

Infineon Technologies

Völu númer:

IPT022N10NF2SATMA1-DG

Lýsing:

MOSFET
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 100 V 29A (Ta), 236A (Tc) 3.8W (Ta), 250W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8

Birgðir:

1800 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12989455
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA

IPT022N10NF2SATMA1 Tæknilegar forskriftir

Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
StrongIRFET™ 2
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
100 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
29A (Ta), 236A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
2.25mOhm @ 150A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.8V @ 169µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
155 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
7300 pF @ 50 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
3.8W (Ta), 250W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PG-HSOF-8
Pakki / hulstur
8-PowerSFN

Gagnaablað & Skjöl

Gagnablöð
IPT022N10NF2S

Aukainformation

Venjulegur pakki
1,800
Önnur nöfn
448-IPT022N10NF2SATMA1CT
448-IPT022N10NF2SATMA1TR
SP005679731
448-IPT022N10NF2SATMA1DKR

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Tengdar vörur
infineon-technologies

IPT012N08NF2SATMA1

MOSFET

infineon-technologies

IPT015N10NF2SATMA1

MOSFET

infineon-technologies

IPT017N10NF2SATMA1

MOSFET

infineon-technologies

IPD055N08NF2SATMA1

MOSFET