IPT010N08NM5ATMA1
Framleiðandi Vöru númer:

IPT010N08NM5ATMA1

Product Overview

Framleiðandi:

Infineon Technologies

Völu númer:

IPT010N08NM5ATMA1-DG

Lýsing:

TRENCH 40<-<100V PG-HSOF-8
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 80 V 43A (Ta), 425A (Tc) 3.8W (Ta), 375W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8

Birgðir:

12958110
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA

IPT010N08NM5ATMA1 Tæknilegar forskriftir

Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
OptiMOS™
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
80 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
43A (Ta), 425A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
1.05mOhm @ 150A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.8V @ 280µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
223 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
16000 pF @ 40 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
3.8W (Ta), 375W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PG-HSOF-8
Pakki / hulstur
8-PowerSFN
Grunnvörunúmer
IPT010N

Gagnaablað & Skjöl

HTML upplýsingaskjal
Gagnaplakks
Gagnablöð

Aukainformation

Venjulegur pakki
2,000
Önnur nöfn
SP005560711
448-IPT010N08NM5ATMA1DKR
448-IPT010N08NM5ATMA1TR
448-IPT010N08NM5ATMA1CT

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
vishay-siliconix

IRFR310TRRPBF

MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK

vishay-siliconix

IRFPF50

MOSFET N-CH 900V 6.7A TO247-3

vishay-siliconix

IRFP360

MOSFET N-CH 400V 23A TO247-3

onsemi

FDMC8588A

MOSFET N-CH