Framleiðandi Vöru númer:
IPS80R900P7AKMA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IPS80R900P7AKMA1-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 800V 6A TO251-3
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 800 V 6A (Tc) 45W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
Birgðir:
12803309
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IPS80R900P7AKMA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tube
Röð
CoolMOS™ P7
Staða vöru
Last Time Buy
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
800 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
900mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 110µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
350 pF @ 500 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
45W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
PG-TO251-3
Pakki / hulstur
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Grunnvörunúmer
IPS80R900
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
1,500
Önnur nöfn
SP001633526
2156-IPS80R900P7AKMA1
ROCINFIPS80R900P7AKMA1
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
IPU80R900P7AKMA1
FRAMLEIÐANDI
Infineon Technologies
Fjöldi í boði
1500
HLUTARNÁMR
IPU80R900P7AKMA1-DG
Einingaverð
0.47
VÖRUVAL
Parametric Equivalent
DIGI vottun
Tengdar vörur
IPD80R3K3P7ATMA1
MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3
IRFB4710PBF
MOSFET N-CH 100V 75A TO220AB
IRF7424PBF
MOSFET P-CH 30V 11A 8SO