Framleiðandi Vöru númer:
IPS80R2K4P7AKMA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IPS80R2K4P7AKMA1-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 800V 2.5A TO251-3
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 800 V 2.5A (Tc) 22W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
Birgðir:
12804805
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IPS80R2K4P7AKMA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tube
Röð
CoolMOS™ P7
Staða vöru
Last Time Buy
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
800 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
2.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
2.4Ohm @ 800mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 40µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
7.5 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
150 pF @ 500 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
22W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
PG-TO251-3
Pakki / hulstur
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Grunnvörunúmer
IPS80R2
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
1,500
Önnur nöfn
SP001644624
IFEINFIPS80R2K4P7AKMA1
2156-IPS80R2K4P7AKMA1
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
IPU80R2K4P7AKMA1
FRAMLEIÐANDI
Infineon Technologies
Fjöldi í boði
1339
HLUTARNÁMR
IPU80R2K4P7AKMA1-DG
Einingaverð
0.29
VÖRUVAL
Parametric Equivalent
DIGI vottun
Tengdar vörur
IRFB3607GPBF
MOSFET N-CH 75V 80A TO220AB
IRFI520N
MOSFET N-CH 100V 7.6A TO220AB FP
IRF3805SPBF
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
