Framleiðandi Vöru númer:
IPS80R2K0P7AKMA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IPS80R2K0P7AKMA1-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 800V 3A TO251-3
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 800 V 3A (Tc) 24W (Tc) Through Hole PG-TO251-3-342
Birgðir:
12805543
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IPS80R2K0P7AKMA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tube
Röð
CoolMOS™ P7
Staða vöru
Last Time Buy
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
800 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
3A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
2Ohm @ 940mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 50µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
9 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
175 pF @ 500 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
24W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
PG-TO251-3-342
Pakki / hulstur
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Grunnvörunúmer
IPS80R2
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
1,500
Önnur nöfn
INFINFIPS80R2K0P7AKMA1
2156-IPS80R2K0P7AKMA1
SP001634926
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
IRFZ46NSTRRPBF
MOSFET N-CH 55V 53A D2PAK
IPP14N03LA
MOSFET N-CH 25V 30A TO220-3
IRL7833S
MOSFET N-CH 30V 150A D2PAK