Framleiðandi Vöru númer:
IPS60R650CEAKMA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IPS60R650CEAKMA1-DG
Lýsing:
CONSUMER
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 600 V 9.9A (Tj) 82W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
Birgðir:
12808647
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IPS60R650CEAKMA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
-
Röð
CoolMOS™
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
600 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
9.9A (Tj)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
650mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 200µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
20.5 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
440 pF @ 100 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
82W (Tc)
Hitastig rekstrar
-40°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
PG-TO251-3
Pakki / hulstur
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Grunnvörunúmer
IPS60R650
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
1,500
Önnur nöfn
SP001471280
2156-IPS60R650CEAKMA1
INFINFIPS60R650CEAKMA1
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
3 (168 Hours)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
IPS60R600PFD7SAKMA1
FRAMLEIÐANDI
Infineon Technologies
Fjöldi í boði
21
HLUTARNÁMR
IPS60R600PFD7SAKMA1-DG
Einingaverð
0.70
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
TK8Q65W,S1Q
FRAMLEIÐANDI
Toshiba Semiconductor and Storage
Fjöldi í boði
5
HLUTARNÁMR
TK8Q65W,S1Q-DG
Einingaverð
0.65
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
TN0606N3-G
MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
CPC3720C
MOSFET N-CH 350V SOT89
IXFN24N100F
MOSFET N-CH 1000V 24A SOT227B