Framleiðandi Vöru númer:
IPS60R1K0PFD7SAKMA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IPS60R1K0PFD7SAKMA1-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 650V 4.7A TO251-3
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 650 V 4.7A (Tc) 26W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
Birgðir:
866 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12810877
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IPS60R1K0PFD7SAKMA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tube
Röð
CoolMOS™PFD7
Staða vöru
Last Time Buy
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
650 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
4.7A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
1Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 50µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
6 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
230 pF @ 400 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
26W (Tc)
Hitastig rekstrar
-40°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
PG-TO251-3
Pakki / hulstur
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Grunnvörunúmer
IPS60R1
Gagnaablað & Skjöl
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
75
Önnur nöfn
2156-IPS60R1K0PFD7SAKMA1
SP003493708
448-IPS60R1K0PFD7SAKMA1
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
Not Applicable
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
IPU80R900P7AKMA1
FRAMLEIÐANDI
Infineon Technologies
Fjöldi í boði
1500
HLUTARNÁMR
IPU80R900P7AKMA1-DG
Einingaverð
0.47
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
IMW65R107M1HXKSA1
MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
IPAN60R125PFD7SXKSA1
MOSFET N-CH 650V 25A TO220
IPN60R1K5PFD7SATMA1
MOSFET N-CH 600V 3.6A SOT223
