Framleiðandi Vöru númer:
IPP90R1K2C3XKSA2
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IPP90R1K2C3XKSA2-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 900V 5.1A TO220-3
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 900 V 5.1A (Tc) 83W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Birgðir:
12804127
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IPP90R1K2C3XKSA2 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tube
Röð
CoolMOS™
Staða vöru
Not For New Designs
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
900 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
5.1A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
1.2Ohm @ 2.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 310µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
28 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
710 pF @ 100 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
83W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
PG-TO220-3-1
Pakki / hulstur
TO-220-3
Grunnvörunúmer
IPP90R1
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
500
Önnur nöfn
IPP90R1K2C3XKSA2-DG
448-IPP90R1K2C3XKSA2
2156-IPP90R1K2C3XKSA2-448
SP002548894
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
IPA95R1K2P7XKSA1
FRAMLEIÐANDI
Infineon Technologies
Fjöldi í boði
510
HLUTARNÁMR
IPA95R1K2P7XKSA1-DG
Einingaverð
0.63
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
IRF100B201
MOSFET N-CH 100V 192A TO220AB
IRF7809AVTRPBF
MOSFET N-CH 30V 13.3A 8SO
IRF6633ATR1PBF
MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET
