Framleiðandi Vöru númer:
IPP80N06S2L11AKSA2
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IPP80N06S2L11AKSA2-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 55 V 80A (Tc) 158W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Birgðir:
12805924
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IPP80N06S2L11AKSA2 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
-
Röð
OptiMOS™
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
55 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
80A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
10.7mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 93µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
80 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
2075 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
158W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
PG-TO220-3-1
Pakki / hulstur
TO-220-3
Grunnvörunúmer
IPP80N
Gagnaablað & Skjöl
HTML upplýsingaskjal
Gagnaplakks
Aukainformation
Venjulegur pakki
500
Önnur nöfn
INFINFIPP80N06S2L11AKSA2
2156-IPP80N06S2L11AKSA2
SP001061296
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
IPP80N06S2L07AKSA2
FRAMLEIÐANDI
Infineon Technologies
Fjöldi í boði
204
HLUTARNÁMR
IPP80N06S2L07AKSA2-DG
Einingaverð
1.98
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
AOT470
FRAMLEIÐANDI
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Fjöldi í boði
0
HLUTARNÁMR
AOT470-DG
Einingaverð
0.64
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
IPI90R800C3XKSA1
MOSFET N-CH 900V 6.9A TO262-3
IRFU3910PBF
MOSFET N-CH 100V 16A IPAK
IRLR8743PBF
MOSFET N-CH 30V 160A DPAK
