Framleiðandi Vöru númer:
IPP80N06S2L11AKSA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IPP80N06S2L11AKSA1-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 55 V 80A (Tc) 158W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Birgðir:
12805057
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IPP80N06S2L11AKSA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
-
Röð
OptiMOS™
Staða vöru
Discontinued at Digi-Key
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
55 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
80A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
11mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 93µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
80 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
2075 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
158W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
PG-TO220-3-1
Pakki / hulstur
TO-220-3
Grunnvörunúmer
IPP80N
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
500
Önnur nöfn
IPP80N06S2L-11-DG
SP000218175
IPP80N06S2L-11
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
IXTP90N055T2
FRAMLEIÐANDI
IXYS
Fjöldi í boði
0
HLUTARNÁMR
IXTP90N055T2-DG
Einingaverð
1.06
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
IRF7811WGTRPBF
MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
IRFR3709ZTRLPBF
MOSFET N-CH 30V 86A DPAK
IPP041N04NGHKSA1
MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
