Framleiðandi Vöru númer:
IPP80N06S209AKSA2
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IPP80N06S209AKSA2-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 55 V 80A (Tc) 190W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Birgðir:
12806231
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IPP80N06S209AKSA2 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
-
Röð
OptiMOS™
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
55 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
80A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
9.1mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 125µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
80 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
2360 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
190W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
PG-TO220-3-1
Pakki / hulstur
TO-220-3
Grunnvörunúmer
IPP80N06
Gagnaablað & Skjöl
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
500
Önnur nöfn
IFEINFIPP80N06S209AKSA2
2156-IPP80N06S209AKSA2
SP001061400
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
DIGI vottun
Tengdar vörur
IRLZ34NSPBF
MOSFET N-CH 55V 30A D2PAK
IRFB7734PBF
MOSFET N-CH 75V 183A TO220AB
IRFS4127PBF
MOSFET N-CH 200V 72A D2PAK