Framleiðandi Vöru númer:
IPP60R120C7XKSA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IPP60R120C7XKSA1-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 600V 19A TO220-3
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 600 V 19A (Tc) 92W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Birgðir:
131 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12803357
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IPP60R120C7XKSA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tube
Röð
CoolMOS™ C7
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
600 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
19A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
120mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 390µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
34 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1500 pF @ 400 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
92W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
PG-TO220-3
Pakki / hulstur
TO-220-3
Grunnvörunúmer
IPP60R120
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
50
Önnur nöfn
IPP60R120C7XKSA1-DG
448-IPP60R120C7XKSA1
SP001385054
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
IPB090N06N3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
IRF6619TR1PBF
MOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET
IPI80N06S3-07
MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3
