Framleiðandi Vöru númer:
IPP180N10N3GXKSA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IPP180N10N3GXKSA1-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 100V 43A TO220-3
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 100 V 43A (Tc) 71W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Birgðir:
170 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12808460
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IPP180N10N3GXKSA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tube
Röð
OptiMOS™
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
100 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
43A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
18mOhm @ 33A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 33µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1800 pF @ 50 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
71W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
PG-TO220-3
Pakki / hulstur
TO-220-3
Grunnvörunúmer
IPP180
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
50
Önnur nöfn
2156-IPP180N10N3GXKSA1
IPP180N10N3 G-DG
IPP180N10N3G
IPP180N10N3 G
448-IPP180N10N3GXKSA1
IPP180N10N3GXKSA1-DG
SP000683090
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
SPB21N10 G
MOSFET N-CH 100V 21A TO263-3
CPC3730C
MOSFET N-CH 350V SOT89
CPC3701CTR
MOSFET N-CH 60V SOT89
