Framleiðandi Vöru númer:
IPP114N03LGHKSA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IPP114N03LGHKSA1-DG
Lýsing:
N-CHANNEL POWER MOSFET
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 30 V 30A (Tc) 38W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Birgðir:
12496 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12954963
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IPP114N03LGHKSA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Bulk
Röð
OptiMOS™ 3
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
30 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
30A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
11.4mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
14 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1500 pF @ 15 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
38W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
PG-TO220-3-1
Pakki / hulstur
TO-220-3
Gagnaablað & Skjöl
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
944
Önnur nöfn
IFEINFIPP114N03LGHKSA1
2156-IPP114N03LGHKSA1
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
Not applicable
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
IRC540PBF
MOSFET N-CH 100V 28A TO220-5
SQ4153EY-T1_BE3
MOSFET P-CHANNEL 12V 25A 8SOIC
FCPF380N60E-F154
MOSFET N-CH 600V 10.2A TO220F-3
