IPP114N03LG
Framleiðandi Vöru númer:

IPP114N03LG

Product Overview

Framleiðandi:

Infineon Technologies

Völu númer:

IPP114N03LG-DG

Lýsing:

N-CHANNEL POWER MOSFET
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 30 V 30A (Tc) 38W (Tc) Through Hole PG-TO220-3

Birgðir:

12930774
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA

IPP114N03LG Tæknilegar forskriftir

Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
-
Röð
OptiMOS™
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
30 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
30A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
11.4mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
14 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1500 pF @ 15 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
38W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
PG-TO220-3
Pakki / hulstur
TO-220-3

Gagnaablað & Skjöl

Gagnablöð

Aukainformation

Venjulegur pakki
693
Önnur nöfn
IFEINFIPP114N03LG
2156-IPP114N03LG

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
renesas-electronics-america

2SJ325-Z-E1-AY

P-CHANNEL SMALL SIGNAL MOSFET

renesas-electronics-america

2SJ329(05)-S5-AZ

P-CHANNEL POWER MOSFET

infineon-technologies

BTS132E3045ANTMA1

N-CHANNEL POWER MOSFET

renesas-electronics-america

2SK974-93L-E

GENERAL SWITCHING POWER MOSFET