Framleiðandi Vöru númer:
IPP110N20NAAKSA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IPP110N20NAAKSA1-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 200V 88A TO220-3
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 200 V 88A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Birgðir:
2824 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12804436
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IPP110N20NAAKSA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tube
Röð
OptimWatt™
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
200 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
88A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
10.7mOhm @ 88A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 270µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
87 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
7100 pF @ 100 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
300W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
PG-TO220-3
Pakki / hulstur
TO-220-3
Grunnvörunúmer
IPP110
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
50
Önnur nöfn
2156-IPP110N20NAAKSA1
INFINFIPP110N20NAAKSA1
IPP110N20NA-DG
IPP110N20NA
SP000877672
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
IRF7811AVTR
MOSFET N-CH 30V 10.8A 8SO
IRFS59N10DTRRP
MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
IRFR3103TRL
MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK