Framleiðandi Vöru númer:
IPP076N15N5AKSA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IPP076N15N5AKSA1-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 150V 112A TO220-3
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 150 V 112A (Tc) 214W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Birgðir:
1901 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12858988
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IPP076N15N5AKSA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tube
Röð
OptiMOS™ 5
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
150 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
112A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
8V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
7.6mOhm @ 56A, 10
Vgs(th) (Max) @ Id
4.6V @ 160µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
21 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
4700 pF @ 75 V
FET eiginleiki
Standard
Afl leiðni (hámark)
214W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
PG-TO220-3
Pakki / hulstur
TO-220-3
Grunnvörunúmer
IPP076
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
50
Önnur nöfn
448-IPP076N15N5AKSA1
SP001180658
IPP076N15N5AKSA1-DG
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
NTD6600N
MOSFET N-CH 100V 12A DPAK
NVMFS5C423NLT1G
MOSFET N-CH 40V 126A 5DFN
NTDV3055L104-1G
MOSFET N-CH 60V 12A IPAK