Framleiðandi Vöru númer:
IPP072N10N3GXKSA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IPP072N10N3GXKSA1-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 100 V 80A (Tc) 150W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Birgðir:
3089 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12800107
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IPP072N10N3GXKSA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tube
Röð
OptiMOS™
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
100 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
80A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
7.2mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 90µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
68 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
4910 pF @ 50 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
150W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
PG-TO220-3
Pakki / hulstur
TO-220-3
Grunnvörunúmer
IPP072
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
50
Önnur nöfn
IPP072N10N3G
IPP072N10N3GXKSA1-DG
SP000680830
448-IPP072N10N3GXKSA1
IPP072N10N3 G-DG
IPP072N10N3 G
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
BSC110N06NS3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8
IPD80R2K8CEBTMA1
MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3
IPP023N04NGXKSA1
MOSFET N-CH 40V 90A TO220-3
