Framleiðandi Vöru númer:
IPP048N12N3GXKSA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IPP048N12N3GXKSA1-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 120V 100A TO220-3
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 120 V 100A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Birgðir:
1395 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12801133
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IPP048N12N3GXKSA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tube
Röð
OptiMOS™
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
120 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
100A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
4.8mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 230µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
182 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
12000 pF @ 60 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
300W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
PG-TO220-3-1
Pakki / hulstur
TO-220-3
Grunnvörunúmer
IPP048
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
50
Önnur nöfn
SP000652734
IPP048N12N3 G-DG
IPP048N12N3G
INFINFIPP048N12N3GXKSA1
IPP048N12N3 G
2156-IPP048N12N3GXKSA1
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
IPC70N04S54R6ATMA1
MOSFET N-CH 40V 70A 8TDSON-34
IPB075N04LGATMA1
MOSFET N-CH 40V 50A D2PAK
IPI90R340C3XKSA2
MOSFET N-CH 900V 15A TO262-3
