IPN80R900P7ATMA1
Framleiðandi Vöru númer:

IPN80R900P7ATMA1

Product Overview

Framleiðandi:

Infineon Technologies

Völu númer:

IPN80R900P7ATMA1-DG

Lýsing:

MOSFET N-CHANNEL 800V 6A SOT223
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 800 V 6A (Tc) 7W (Tc) Surface Mount PG-SOT223

Birgðir:

5780 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12803715
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA

IPN80R900P7ATMA1 Tæknilegar forskriftir

Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
CoolMOS™ P7
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
800 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
900mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 110µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
350 pF @ 500 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
7W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PG-SOT223
Pakki / hulstur
TO-261-4, TO-261AA
Grunnvörunúmer
IPN80R900

Gagnaablað & Skjöl

HTML upplýsingaskjal
Gagnaplakks
Gagnablöð

Aukainformation

Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
SP001665000
IPN80R900P7ATMA1CT
IPN80R900P7ATMA1-DG
IPN80R900P7ATMA1TR
IPN80R900P7ATMA1DKR

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
infineon-technologies

IRFR540ZPBF

MOSFET N-CH 100V 35A DPAK

infineon-technologies

IPP60R380P6XKSA1

MOSFET N-CH 600V 10.6A TO220-3

infineon-technologies

IPW65R280E6FKSA1

MOSFET N-CH 650V 13.8A TO247-3

infineon-technologies

IRF1010EZSPBF

MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK