Framleiðandi Vöru númer:
IPN80R900P7ATMA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IPN80R900P7ATMA1-DG
Lýsing:
MOSFET N-CHANNEL 800V 6A SOT223
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 800 V 6A (Tc) 7W (Tc) Surface Mount PG-SOT223
Birgðir:
5780 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12803715
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IPN80R900P7ATMA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
CoolMOS™ P7
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
800 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
900mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 110µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
350 pF @ 500 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
7W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PG-SOT223
Pakki / hulstur
TO-261-4, TO-261AA
Grunnvörunúmer
IPN80R900
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
SP001665000
IPN80R900P7ATMA1CT
IPN80R900P7ATMA1-DG
IPN80R900P7ATMA1TR
IPN80R900P7ATMA1DKR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
IRFR540ZPBF
MOSFET N-CH 100V 35A DPAK
IPP60R380P6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 10.6A TO220-3
IPW65R280E6FKSA1
MOSFET N-CH 650V 13.8A TO247-3
