Framleiðandi Vöru númer:
IPN80R2K0P7ATMA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IPN80R2K0P7ATMA1-DG
Lýsing:
MOSFET N-CHANNEL 800V 3A SOT223
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 800 V 3A (Tc) 6.4W (Tc) Surface Mount PG-SOT223
Birgðir:
12803654
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IPN80R2K0P7ATMA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
CoolMOS™ P7
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
800 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
3A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
2Ohm @ 940mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 50µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
9 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
175 pF @ 500 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
6.4W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PG-SOT223
Pakki / hulstur
TO-261-4, TO-261AA
Grunnvörunúmer
IPN80R2
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
IPN80R2K0P7ATMA1CT
IPN80R2K0P7ATMA1DKR
SP001664996
IPN80R2K0P7ATMA1-DG
IPN80R2K0P7ATMA1TR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
IRFR13N20DTRPBF
MOSFET N-CH 200V 13A DPAK
IPL60R125P7AUMA1
MOSFET N-CH 600V 27A 4VSON
IRF3708PBF
MOSFET N-CH 30V 62A TO220AB
