Framleiðandi Vöru númer:
IPN80R1K4P7ATMA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IPN80R1K4P7ATMA1-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 800V 4A SOT223
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 800 V 4A (Tc) 7W (Tc) Surface Mount PG-SOT223
Birgðir:
1921 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12859080
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IPN80R1K4P7ATMA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
CoolMOS™ P7
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
800 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
4A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
1.4Ohm @ 1.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 70µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
10 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
250 pF @ 500 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
7W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PG-SOT223
Pakki / hulstur
TO-261-4, TO-261AA
Grunnvörunúmer
IPN80R1
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
2156-IPN80R1K4P7ATMA1
IFEINFIPN80R1K4P7ATMA1
SP001657528
IPN80R1K4P7ATMA1DKR
IPN80R1K4P7ATMA1CT
IPN80R1K4P7ATMA1TR
IPN80R1K4P7ATMA1-DG
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
NTD14N03RG
MOSFET N-CH 25V 2.5A DPAK
NTD20N06L-1G
MOSFET N-CH 60V 20A IPAK
NTD23N03RT4
MOSFET N-CH 25V 3.8A/17.1A DPAK