Framleiðandi Vöru númer:
IPN70R2K1CEATMA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IPN70R2K1CEATMA1-DG
Lýsing:
MOSFET N-CHANNEL 700V 4A SOT223
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 700 V 4A (Tc) 5W (Tc) Surface Mount PG-SOT223-3
Birgðir:
12802908
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IPN70R2K1CEATMA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
-
Staða vöru
Last Time Buy
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
700 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
4A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
2.1Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 70µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
7.8 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
163 pF @ 100 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
5W (Tc)
Hitastig rekstrar
-40°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PG-SOT223-3
Pakki / hulstur
TO-261-4, TO-261AA
Grunnvörunúmer
IPN70R2
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
SP001664860
IPN70R2K1CEATMA1-DG
448-IPN70R2K1CEATMA1TR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
IPN70R2K0P7SATMA1
FRAMLEIÐANDI
Infineon Technologies
Fjöldi í boði
5787
HLUTARNÁMR
IPN70R2K0P7SATMA1-DG
Einingaverð
0.16
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
IRF1010ESTRLPBF
MOSFET N-CH 60V 84A D2PAK
IRF3717TR
MOSFET N-CH 20V 20A 8SO
IPB180N04S4L01ATMA1
MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
