Framleiðandi Vöru númer:
IPN60R2K1CEATMA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IPN60R2K1CEATMA1-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 600V 3.7A SOT223
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 600 V 3.7A (Tc) 5W (Tc) Surface Mount PG-SOT223-3
Birgðir:
11299 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12813053
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IPN60R2K1CEATMA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
CoolMOS™ CE
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
600 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
3.7A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
2.1Ohm @ 800mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 60µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
6.7 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
140 pF @ 100 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
5W (Tc)
Hitastig rekstrar
-40°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PG-SOT223-3
Pakki / hulstur
TO-261-4, TO-261AA
Grunnvörunúmer
IPN60R2
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
INFINFIPN60R2K1CEATMA1
2156-IPN60R2K1CEATMA1
IPN60R2K1CEATMA1TR
IPN60R2K1CEATMA1DKR
IPN60R2K1CEATMA1CT
SP001434886
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
IPW50R140CPFKSA1
MOSFET N-CH 550V 23A TO247-3
IPC100N04S52R8ATMA1
MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34
IRL40B209
MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB
