Framleiðandi Vöru númer:
IPN60R2K0PFD7SATMA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IPN60R2K0PFD7SATMA1-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 600V 3A SOT223
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 600 V 3A (Tc) 6W (Tc) Surface Mount PG-SOT223-3-1
Birgðir:
15435 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12810888
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IPN60R2K0PFD7SATMA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
CoolMOS™PFD7
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
600 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
3A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
2Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 30µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
3.8 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
134 pF @ 400 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
6W (Tc)
Hitastig rekstrar
-40°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PG-SOT223-3-1
Pakki / hulstur
TO-261-3
Grunnvörunúmer
IPN60R2
Gagnaablað & Skjöl
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
448-IPN60R2K0PFD7SATMA1CT
SP003493700
448-IPN60R2K0PFD7SATMA1TR
448-IPN60R2K0PFD7SATMA1DKR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
NOCATSTYPE
MOSFET PMV77EN TO-236AB REELLP
IPL65R165CFDAUMA2
MOSFET N-CH 650V 21.3A 4VSON
IRFU3607-701PBF
MOSFET N-CH 75V 56A IPAK
