Framleiðandi Vöru númer:
IPN50R800CEATMA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IPN50R800CEATMA1-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 500V 7.6A SOT223
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 500 V 7.6A (Tc) 5W (Tc) Surface Mount PG-SOT223
Birgðir:
15140 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12802708
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IPN50R800CEATMA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
CoolMOS™ CE
Staða vöru
Last Time Buy
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
500 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
7.6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
13V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
800mOhm @ 1.5A, 13V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 130µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
12.4 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
280 pF @ 100 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
5W (Tc)
Hitastig rekstrar
-40°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PG-SOT223
Pakki / hulstur
TO-261-4, TO-261AA
Grunnvörunúmer
IPN50R800
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
SP001461196
IPN50R800CEATMA1TR
2156-IPN50R800CEATMA1
IPN50R800CEATMA1DKR
IPN50R800CEATMA1CT
IPN50R800CEATMA1-DG
IFEINFIPN50R800CEATMA1
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
IPU60R2K0C6BKMA1
MOSFET N-CH 600V 2.4A TO251-3
IRF3515STRLPBF
MOSFET N-CH 150V 41A D2PAK
IPN95R3K7P7ATMA1
MOSFET N-CH 950V 2A SOT223
