IPN50R650CEATMA1
Framleiðandi Vöru númer:

IPN50R650CEATMA1

Product Overview

Framleiðandi:

Infineon Technologies

Völu númer:

IPN50R650CEATMA1-DG

Lýsing:

MOSFET N-CH 500V 9A SOT223
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 500 V 9A (Tc) 5W (Tc) Surface Mount PG-SOT223-3

Birgðir:

13064104
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA

IPN50R650CEATMA1 Tæknilegar forskriftir

Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
-
Röð
CoolMOS™ CE
Umbúðir
Tape & Reel (TR)
Staða hluta
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
500 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
9A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
13V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
650mOhm @ 1.8A, 13V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 150µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
342 pF @ 100 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
5W (Tc)
Hitastig rekstrar
-40°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PG-SOT223-3
Pakki / hulstur
TO-261-4, TO-261AA
Grunnvörunúmer
IPN50R650

Gagnaablað & Skjöl

HTML upplýsingaskjal
Gagnaplakks
Gagnablöð

Aukainformation

Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
IPN50R650CEATMA1TR
IPN50R650CEATMA1-ND
SP001434880
INFINFIPN50R650CEATMA1
IPN50R650CEATMA1DKR
IPN50R650CEATMA1CT
2156-IPN50R650CEATMA1

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
infineon-technologies

IRF3709STRLPBF

MOSFET N-CH 30V 90A D2PAK

infineon-technologies

IRF2204LPBF

MOSFET N-CH 40V 170A TO262

infineon-technologies

IRF7205TRPBF

MOSFET P-CH 30V 4.6A 8SO

infineon-technologies

IRF7807VD1TRPBF

MOSFET N-CH 30V 8.3A 8SO