Framleiðandi Vöru númer:
IPN50R3K0CEATMA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IPN50R3K0CEATMA1-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 500V 2.6A SOT223
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 500 V 2.6A (Tc) 5W (Tc) Surface Mount PG-SOT223-3
Birgðir:
34667 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12804416
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IPN50R3K0CEATMA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
CoolMOS™ CE
Staða vöru
Last Time Buy
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
500 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
2.6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
13V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
3Ohm @ 400mA, 13V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 30µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
4.3 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
84 pF @ 100 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
5W (Tc)
Hitastig rekstrar
-40°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PG-SOT223-3
Pakki / hulstur
TO-261-4, TO-261AA
Grunnvörunúmer
IPN50R3
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
IPN50R3K0CEATMA1DKR
IPN50R3K0CEATMA1CT
IPN50R3K0CEATMA1TR
IPN50R3K0CEATMA1-DG
SP001424878
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
IPN50R2K0CEATMA1
FRAMLEIÐANDI
Infineon Technologies
Fjöldi í boði
4855
HLUTARNÁMR
IPN50R2K0CEATMA1-DG
Einingaverð
0.13
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
IPAW70R600CEXKSA1
MOSFET N-CH 700V 10.5A TO220-31
IRF9393TRPBF
MOSFET P-CH 30V 9.2A 8SO
IPA60R330P6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 12A TO220-FP