Framleiðandi Vöru númer:
IPL65R1K0C6SATMA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IPL65R1K0C6SATMA1-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 650V 4.2A THIN-PAK
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 650 V 4.2A (Tc) 34.7W (Tc) Surface Mount PG-TSON-8-2
Birgðir:
12800085
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IPL65R1K0C6SATMA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
CoolMOS™ C6
Staða vöru
Last Time Buy
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
650 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
4.2A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
1Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 150µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
328 pF @ 100 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
34.7W (Tc)
Hitastig rekstrar
-40°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PG-TSON-8-2
Pakki / hulstur
8-PowerTDFN
Grunnvörunúmer
IPL65R1
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
5,000
Önnur nöfn
SP001163084
2156-IPL65R1K0C6SATMA1
ROCINFIPL65R1K0C6SATMA1
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
IPLK60R1K0PFD7ATMA1
FRAMLEIÐANDI
Infineon Technologies
Fjöldi í boði
0
HLUTARNÁMR
IPLK60R1K0PFD7ATMA1-DG
Einingaverð
0.37
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
IPB160N04S4H1ATMA1
MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
BTS121AE3045ANTMA1
MOSFET N CH 100V 22A TO-220AB
IPP05CN10NGXKSA1
MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
