IPL60R2K1C6SATMA1

Framleiðandi Vöru númer:

IPL60R2K1C6SATMA1

Product Overview

Framleiðandi:

Infineon Technologies

Völu númer:

IPL60R2K1C6SATMA1-DG

Lýsing:

MOSFET N-CH 600V 2.3A THIN-PAK

Mikilvægar upplýsingar:

N-Channel 600 V 2.3A (Tc) 21.6W (Tc) Surface Mount PG-TSON-8-2

Birgðir:

RFQ á netinu

12800879

Óska eftir tilboði

Magn
Minimum 1

(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda

STILLTA

IPL60R2K1C6SATMA1 Tæknilegar forskriftir

Flokkur

FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET

Framleiðandi

Infineon Technologies

Pakkning

-

Röð

CoolMOS™ C6

Staða vöru

Obsolete

FET gerð

N-Channel

Tækni

MOSFET (Metal Oxide)

Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)

600 V

Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C

2.3A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds á (Max) @ Id, Vgs

2.1Ohm @ 760mA, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3.5V @ 60µA

Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs

6.7 nC @ 10 V

Vgs (hámark)

±20V

Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds

140 pF @ 100 V

FET eiginleiki

-

Afl leiðni (hámark)

21.6W (Tc)

Hitastig rekstrar

-40°C ~ 150°C (TJ)

Gerð uppsetningar

Surface Mount

Birgir tæki pakki

PG-TSON-8-2

Pakki / hulstur

8-PowerTDFN

Grunnvörunúmer

IPL60R

Gagnaablað & Skjöl

HTML upplýsingaskjal

IPL60R2K1C6SATMA1-DG

Gagnaplakks

IPL60R2K1C6SATMA1

Gagnablöð

Aukainformation

Venjulegur pakki

5,000

Önnur nöfn

INFINFIPL60R2K1C6SATMA1

2156-IPL60R2K1C6SATMA1

SP001163026

Umhverfis- og útflutningsflokkun

Rakanæmi (MSL)

1 (Unlimited)

REACH staða

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI vottun

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Tengdar vörur

BSO200P03SNTMA1

MOSFET P-CH 30V 7.4A 8DSO

infineon-technologies

IPB60R160C6ATMA1

MOSFET N-CH 600V 23.8A D2PAK

infineon-technologies

IPB90N06S404ATMA2

MOSFET N-CH 60V 90A D2PAK

infineon-technologies

IPD60R1K5CEAUMA1

MOSFET N-CH 600V 5A TO252