IPI65R380C6XKSA1
Framleiðandi Vöru númer:

IPI65R380C6XKSA1

Product Overview

Framleiðandi:

Infineon Technologies

Völu númer:

IPI65R380C6XKSA1-DG

Lýsing:

MOSFET N-CH 650V 10.6A TO262-3
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 650 V 10.6A (Tc) 83W (Tc) Through Hole PG-TO262-3

Birgðir:

500 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12804001
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA

IPI65R380C6XKSA1 Tæknilegar forskriftir

Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tube
Röð
CoolMOS™
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
650 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
10.6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
380mOhm @ 3.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 320µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
39 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
710 pF @ 100 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
83W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
PG-TO262-3
Pakki / hulstur
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Grunnvörunúmer
IPI65R380

Gagnaablað & Skjöl

HTML upplýsingaskjal
Gagnaplakks
Gagnablöð

Aukainformation

Venjulegur pakki
50
Önnur nöfn
IPI65R380C6
IPI65R380C6XKSA1-DG
448-IPI65R380C6XKSA1
IPI65R380C6-DG
2156-IPI65R380C6XKSA1
SP000785080

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
infineon-technologies

IRF9Z34NSTRR

MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK

infineon-technologies

IRF1405LPBF

MOSFET N-CH 55V 131A TO262

infineon-technologies

IPC60R385CPX1SA1

MOSFET N-CH BARE DIE

infineon-technologies

IRF7811WTRPBF

MOSFET N-CH 30V 14A 8SO