Framleiðandi Vöru númer:
IPI65R380C6XKSA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IPI65R380C6XKSA1-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 650V 10.6A TO262-3
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 650 V 10.6A (Tc) 83W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Birgðir:
500 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12804001
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IPI65R380C6XKSA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tube
Röð
CoolMOS™
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
650 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
10.6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
380mOhm @ 3.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 320µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
39 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
710 pF @ 100 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
83W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
PG-TO262-3
Pakki / hulstur
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Grunnvörunúmer
IPI65R380
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
50
Önnur nöfn
IPI65R380C6
IPI65R380C6XKSA1-DG
448-IPI65R380C6XKSA1
IPI65R380C6-DG
2156-IPI65R380C6XKSA1
SP000785080
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
IRF9Z34NSTRR
MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK
IRF1405LPBF
MOSFET N-CH 55V 131A TO262
IPC60R385CPX1SA1
MOSFET N-CH BARE DIE