Framleiðandi Vöru númer:
IPI65R110CFDXKSA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IPI65R110CFDXKSA1-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 650V 31.2A TO262-3
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 650 V 31.2A (Tc) 277.8W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Birgðir:
12805494
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IPI65R110CFDXKSA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
-
Röð
CoolMOS™
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
650 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
31.2A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
110mOhm @ 12.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 1.3mA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
118 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
3240 pF @ 100 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
277.8W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
PG-TO262-3
Pakki / hulstur
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Grunnvörunúmer
IPI65R
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
500
Önnur nöfn
IPI65R110CFD-DG
2156-IPI65R110CFDXKSA1
IPI65R110CFD
INFINFIPI65R110CFDXKSA1
SP000896398
Umhverfis- og útflutningsflokkun
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
STI33N60M2
FRAMLEIÐANDI
STMicroelectronics
Fjöldi í boði
0
HLUTARNÁMR
STI33N60M2-DG
Einingaverð
1.72
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
IRF6725MTRPBF
MOSFET N-CH 30V 28A DIRECTFET
IRF1407S
MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK
IPW50R199CPFKSA1
MOSFET N-CH 550V 17A TO247-3
