Framleiðandi Vöru númer:
IPI65R099C6XKSA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IPI65R099C6XKSA1-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 650V 38A TO262-3
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 650 V 38A (Tc) 278W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1
Birgðir:
12810721
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IPI65R099C6XKSA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
-
Röð
CoolMOS™
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
650 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
38A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
99mOhm @ 12.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 1.2mA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
127 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
2780 pF @ 100 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
278W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
PG-TO262-3-1
Pakki / hulstur
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Grunnvörunúmer
IPI65R
Gagnaablað & Skjöl
HTML upplýsingaskjal
Gagnaplakks
Aukainformation
Venjulegur pakki
500
Önnur nöfn
2156-IPI65R099C6XKSA1
INFINFIPI65R099C6XKSA1
SP000895222
Umhverfis- og útflutningsflokkun
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
STI33N60M2
FRAMLEIÐANDI
STMicroelectronics
Fjöldi í boði
0
HLUTARNÁMR
STI33N60M2-DG
Einingaverð
1.72
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
IPP80N06S208AKSA1
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
VN2410L-G-P013
MOSFET N-CH 240V 190MA TO92-3
IRLZ34NS
MOSFET N-CH 55V 30A D2PAK
