Framleiðandi Vöru númer:
IPI60R600CPAKSA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IPI60R600CPAKSA1-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 600V 6.1A TO262-3
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 600 V 6.1A (Tc) 60W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Birgðir:
12803973
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IPI60R600CPAKSA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
-
Röð
CoolMOS™
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
600 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
6.1A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
600mOhm @ 3.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 220µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
27 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
550 pF @ 100 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
60W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
PG-TO262-3
Pakki / hulstur
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Grunnvörunúmer
IPI60R
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
500
Önnur nöfn
SP000405896
IPI60R600CP
IPI60R600CP-DG
Umhverfis- og útflutningsflokkun
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
STP10N60M2
FRAMLEIÐANDI
STMicroelectronics
Fjöldi í boði
990
HLUTARNÁMR
STP10N60M2-DG
Einingaverð
0.51
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
IPD03N03LA G
MOSFET N-CH 25V 90A TO252-3
IPP093N06N3GXKSA1
MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3
IPA50R350CPXKSA1
MOSFET N-CH 500V 10A TO220-FP