Framleiðandi Vöru númer:
IPI180N10N3GXKSA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IPI180N10N3GXKSA1-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 100V 43A TO262-3
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 100 V 43A (Tc) 71W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Birgðir:
12801541
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IPI180N10N3GXKSA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
-
Röð
OptiMOS™
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
100 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
43A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
18mOhm @ 33A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 33µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1800 pF @ 50 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
71W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
PG-TO262-3
Pakki / hulstur
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Grunnvörunúmer
IPI180
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
500
Önnur nöfn
IPI180N10N3 G
448-IPI180N10N3GXKSA1
SP000683076
IPI180N10N3G
IPI180N10N3GXKSA1-DG
2156-IPI180N10N3GXKSA1
IPI180N10N3 G-DG
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
FDI150N10
FRAMLEIÐANDI
onsemi
Fjöldi í boði
3338
HLUTARNÁMR
FDI150N10-DG
Einingaverð
1.16
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
IPD50N03S4L06ATMA1
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-31
IPP023N04NGHKSA1
MOSFET N-CH 40V 90A TO220-3
IPP086N10N3GHKSA1
MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3